“沒有功率半導體，就不會有混合動力車或者電動汽車，”博世這般認為。

電動汽車的發展對驅動系統已經提出了更高的要求，比如小型化（方便多電機布置，甚至安裝在車輪內），更高效（提高百公里能耗，節省電能，增加續航里程）。它急切需要功率半導體的協助，尤其是大功率、耐高壓的功率半導體。

僅看2019年，已有多家零部件供應商發布了開發、量產SiC電驅動系統的計劃，例如國外的博世、德爾福、采埃孚，國內的比亞迪。

博世、采埃孚、德爾福、比亞迪的碳化硅逆變器

博世將于2020年開始在德國生產特別用于電動汽車的下一代節能芯片。其羅伊特林根150毫米晶圓廠將提交第一批樣品給潛在客戶，并在三年內找尋到量產的路徑。

博世碳化硅芯片

博世133年歷史上最大的一筆投資，再次強調出碳化硅（SiC）這一半導體材料在汽車行業的重要性。上一次引發碳化硅討論熱潮的是大眾與科銳、英飛凌的戰略合作。

碳化硅，即是博世下一代芯片所使用的半導體材料。通過使用這類材料，博世意在生產出能夠承受高溫、高壓的芯片，應用于旗下e-Axle電驅動系統中。甚至考慮到需求將足夠高，博世可能無法自給自足，必須從外部采購更多的碳化硅芯片。

當電控采用碳化硅芯片后，它將在電能轉換和控制過程中減少50%的熱損耗。這將直接提高功率電子器件的能效，為電機提供更多動力，從而提升電池的續航里程。單次充電后的電動汽車續航里程可在現有基礎上再提升6%。

德國，汽車的發源地，誕生出大眾、寶馬、奔馳、博世等OEM和Tier1巨頭。它的電氣化或許在前期進展的比較遲緩，但在汽車電子領域卻一直在發力。全球汽車半導體供應商TOP10中，博世和英飛凌均榜上有名。

總部同位于德國的采埃孚與美國碳化硅半導體企業科銳宣布建立戰略合作關系，計劃2022年前將SiC電驅動系統推向市場。

今年4月份，采埃孚首次采用SiC技術的電驅動系統已經用于法國文圖瑞Venturi的電動賽車。SiC電驅動系統具備更高的能量轉換效率。采埃孚的目標不止在于電動賽車，它計劃3-4年內將SiC電驅動系統批量應用于乘用車中。

美國汽車供應商，例如德爾福，在9月份宣布計劃在下個十年初期推出基于SiC芯片的逆變器。它認為，800V 碳化硅逆變器“下一代高效電動和混合動力汽車的核心部件之一”。它已與一家跨國OEM達成八年共27億美元的項目。該項目預計將于2022年開始落實，最初推出的將是以800V電壓運行的高性能電動汽車。

國內基于碳化硅材料的芯片研發和生產進展同樣是關注的重點。尤其是當下國內正盡力避免高端芯片卡脖子，而孜孜不倦地自研芯片。

比亞迪SiC晶圓

SiC基功率器件方面，比亞迪在2017年研制出SiC MOS晶圓以及雙面水冷模塊，并于2018年將之批量應用于DC/DC、OBC中，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能再提升5%以上。

IGBT、碳化硅與電動汽車

NE時代調研后發現，電控模塊目前情況下以硅基IGBT為主，冷卻技術以單面水冷為主。但它將向混合碳化硅過渡，冷卻技術將從單面水冷轉向為雙面水冷。

無論Si基IGBT還是SiC基MOSFET，它們的主要作用在于導通和關斷，控制驅動系統直、交流電的轉換。

當下IGBT在電驅動系統中已經得到廣泛的應用。公開資料顯示，電壓在600-1200V的IGBT需求量最大，占市場份額68.2%，主要應用于電動汽車。

但電動汽車到目前為止處于剛剛起步的階段，普及的速度和廣度都還有限。這也就意味著，它的未來還有無限的發展空間。至少現在車企已經在開發800V電壓的整車，同時提高驅動效率，實現電驅動系統的小型化和集成化。這時，IGBT還能勝任嗎？

正如硅基IGBT將硅基MOSFET拍在沙灘上，SiC基的MOSFET將是另一個“后浪”。它具備高頻率、低損耗的特性，是電驅動系統在高溫、高壓下保持高速、穩定運行的關鍵。

以博世、采埃孚、德爾福和比亞迪這四家為例，其碳化硅基芯片的應用重點均集中于電控模塊，批量應用時間點起始于2022年或2023年。

電控模塊所用功率器件的進化，直接關系到電動汽車的整車性能。比亞迪在混動和純電動上對SiC和Si的性能進行測算，結果顯示，SiC后電機控制器的損耗下降5%，電驅動系統整體NEDC平均效率提升3.6%，整車NEDC續航提升30KM，里程增幅在5.8%。

如果車企不考慮從電驅動系統的高效率入手，而依賴于電池，那么它必須承擔大如100KWh電池的高昂成本，才可以將續航里程提升6%。這對于車輛的空間、冷卻系統、電池管理系統都是一個沉重的負擔。

固然，碳化硅芯片相較現一代IGBT芯片增加的費用將使制造商付出巨大的代價，但它意義重大，關系到電動汽車的未來發展。

價格是決定SiC何時在新能源電機控制器上批量使用的關鍵因素。出于成本的限制，它只能先在高端車中進行配置。碳化硅器件可以承受更高的溫度，因此可以減少對復雜冷卻回路的需求，并且幫助提升續航里程，減小電池尺寸。最終整體成本的削減在一定程度上抵消碳化硅的成本。

時間和規模會降低它的成本，讓中低端車開始受益。比亞迪第十四事業部電控工廠廠長楊廣明曾指出，續航里程500公里以上的高端SUV車和高端轎車可能會在2021年會開始應用SiC，小型SUV和中型轎車可能在2024年會開始應用一部分SiC，低端車可能會在2025年之后。

比亞迪也已預見到，當下的IGBT也將逼近硅材料的性能極限。尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導體材料，已成為電驅動供應商的主要任務。

據悉，比亞迪已投入巨資布局第三代半導體材料SiC，并將整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業鏈，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動車領域的應用。

來源：第一電動網