為什么在逆變焊機中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆變焊機！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT逆變焊機，實現(xiàn)更高的逆變焊機焊接質(zhì)量，更小的逆變焊機體積重量！更低的逆變焊機成本！

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類逆變焊機，比如氣體保護焊，如氬弧焊、二氧化碳氣體保護焊，手工弧焊等。

逆變焊機是指采用逆變技術的弧焊電源，它將交流電先整流成直流電，再通過大功率開關元件的交替開關作用（使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經(jīng)成為行業(yè)潮流），逆變成幾K赫茲甚至幾百K赫茲的高頻交流電，經(jīng)過變壓器降壓后輸出給電極和工件，形成高頻脈沖電弧的焊機。

逆變焊機相比直流焊機具有以下優(yōu)點：

1.體積小、重量輕、節(jié)約制造材料，便于攜帶和移動。

2.能效高、節(jié)能環(huán)保、降低用電成本。

3.動態(tài)特性好、控制靈活、可實現(xiàn)多種焊接模式和參數(shù)調(diào)節(jié)。

4.輸出電壓、電流的穩(wěn)定性好、抗干擾能力強、適應電網(wǎng)波動。

5.焊接效果好、飛濺小、熔深大、變形小、適用于各種金屬材料和位置的焊接。

基本公司SiC碳化硅MOSFET可有效的減少逆變焊機變壓器、濾波電感、電容以及散熱器，電抗等成本，有效降低逆變焊機體積和成本。基本公司SiC碳化硅MOSFET提高逆變焊機頻率從而提高弧焊電源的動態(tài)響應特性，促進焊接工藝的精細靈活，提升焊接質(zhì)量。

IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結溫低于最大規(guī)定值。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

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